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  • 品牌:AO | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:GE-P-FET锗P沟道 | 型号:DW06D
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  • 品牌:AO | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 型号:D6N65
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  • 品牌:AO | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:GE-P-FET锗P沟道 | 型号:SI2301 SI2305
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  • 品牌:AO | 沟道类型:N沟道 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 型号:NCE6602
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  • 报价:¥777.0/件
  • 品牌:NEC/日本电气 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:其他 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 型号:2SC4552
  • 报价:¥4.5/个
  • 最小起订:1个 | 发货期限自付款之日起0日内发货 | 供应能力:个/每月 | 样品:不提供
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