基础信息
| 品牌 | AO | 种类 | 结型(JFET) |
|---|---|---|---|
| 沟道类型 | N沟道 | 导电方式 | 增强型 |
| 用途 | SW-REG/开关电源 | 封装外形 | CHIP/小型片状 |
| 材料 | GE-N-FET锗N沟道 | 型号 | D6N65 |
产品详情
高压MOS场效应管
型号
类型
V(BR)
DSS
VGS
VGS
(th)
ID25ºC
IDM25ºC
RDS(on)
@VGS=10V
PD25ºC
封装形式
代替型号
PTR/U/D/
F1N60
N沟道
600V
30V
4V
0.4A1A
2.
8.5Ω
3W30W
TO-92/TO-251/TO-252/TO-220F
FQP1N60/FQN1N60/
UTC1N60/STP1N60
PTR/U/D/F1N60.pdf
PTU/D2N60
N沟道
600V
30V
4V
1.8A2A
6A
5Ω
45W54W
TO-251/TO-252/TO-220/TO-220F
FQP2N60/FQN2N60/
UTC2N60/STP2N60/
2SK3067
PTU/D2N60.pdf
PTP/F2N60
N沟道
600V
30V
4V
1.8A2A
6A
5Ω
45W54W
TO-251/TO-252/TO-220/TO-220F
FQP2N60/FQN2N60/
UTC2N60/STP2N60/
2SK3067
PTP/F2N60.pdf
PTU/D/P/
F2N65
N沟道
650V
30V
4V
1.8A2A
6A
5Ω
45W54W
TO-251/TO-252/TO-220/TO-220F
FQP2N65/FQN2N65/
UTC2N65/STP2N65/
2SK3067
PTU/D/P/F2N65.pdf
PTD4N60
N沟道
600V
30V
4V
2.8A4A
11.2A
2.5Ω
33W49W
TO-251/TO-252/TO-220/TO-220F
FQP4N60/FQN4N60/
UTC4N60/STP4N60
PTD4N60.pdf
产品所属分类： 电子元器件/ 场效应管/ 场效应管
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