大庆佳昌晶能信息材料有限公司
更新时间：2022-12-31 19:09 信息编号：8595246企业简介
大庆佳昌晶能信息材料有限公司 成立于2011-12-5，注册地址在黑龙江省大庆市高新区新发街1-2号301室
，主要从事半导体及化合物半导体信息材料的技术研究、销售，砷化镓抛光片加工（不含危险化学品、易燃易爆品及剧毒品），进出口业务（国家法律、法规禁止的项目不得经营，国家法律、法规限制的项目取得许可后方可经营）。。欢迎交流合作！
联系方式
经营范围
大庆佳昌晶能信息材料有限公司 主要经营：半导体及化合物半导体信息材料的技术研究、销售，砷化镓抛光片加工（不含危险化学品、易燃易爆品及剧毒品），进出口业务（国家法律、法规禁止的项目不得经营，国家法律、法规限制的项目取得许可后方可经营）。
大庆佳昌晶能信息材料有限公司的工商信息
- 230607100052601
- 91230607583843308G
- 存续（在营、开业、在册）
- 其他有限责任公司
- 2011年12月05日
- 王文昌
- 5910.080000
- 2011年12月05日 至 永久
- 大庆市工商行政管理局高新区分局
- 2015年09月21日
- 黑龙江省大庆市高新区新发街1-2号301室
- 半导体及化合物半导体信息材料的技术研究、销售，砷化镓抛光片加工（不含危险化学品、易燃易爆品及剧毒品），进出口业务（国家法律、法规禁止的项目不得经营，国家法律、法规限制的项目取得许可后方可经营）。
大庆佳昌晶能信息材料有限公司的股东信息
股东类型：
自然人股东
股东：
师苍艳
股东类型：
自然人股东
股东：
马子晰
股东类型：
自然人股东
股东：
于会永
股东类型：
自然人股东
股东：
陈萌
股东类型：
自然人股东
股东：
张同江
股东类型：
自然人股东
股东：
王文昌
股东类型：
企业法人
股东类型：
企业法人
股东：
黑龙江科力高新天使投资有限公司
股东类型：
企业法人
股东：
黑龙江融安创业投资管理有限公司
股东类型：
企业法人
股东：
大庆佳昌科技有限公司
主要人员
王文昌
张晶
监事
王文昌
董事长兼总经理
陈平
董事
赵伟
董事
大庆佳昌晶能信息材料有限公司的变更记录
变更项目：
注册资本变更（注册资金、资金数额等变更）
变更日期：
2015-09-21
变更前：
5108.09
变更后：
5910.080000
变更项目：
投资人变更（包括出资额、出资方式、出资日期、投资人名称等）
变更日期：
2015-09-21
变更前：
大庆佳昌科技有限公司:43.06%;王文昌:19.57%;齐星集团有限公司:23.02%;黑龙江省科力高科技产业投资有限公司:14.32%;
变更后：
大庆佳昌科技有限公司;王文昌;黑龙江省科力高科技产业投资有限公司;齐星集团有限公司;黑龙江融安创业投资管理有限公司;马子晰;黑龙江科力高新天使投资有限公司;于会永;师苍艳;张同江;陈萌;
变更项目：
注册资本变更（注册资金、资金数额等变更）
变更日期：
2014-07-23
变更前：
4376.38
变更后：
5108.090000
变更项目：
投资人变更（包括出资额、出资方式、出资日期、投资人名称等）
变更日期：
2014-07-23
变更前：
齐星集团有限公司:26.88%;王文昌:22.84%;大庆佳昌科技有限公司:50.26%;
变更后：
齐星集团有限公司:0%;黑龙江省科力高科技产业投资有限公司:0%;王文昌:0%;大庆佳昌科技有限公司:0%;
变更项目：
许可经营项目变更
变更日期：
2014-02-19
变更前：
无。
变更后：
无。
变更项目：
经营范围变更（含业务范围变更）
变更日期：
2014-02-19
变更前：
半导体及化合物半导体信息材料的技术研究、销售，化工产品（不含危险化学品、易燃易爆品及剧毒品）的销售，进出口业务（国家法律、法规禁止的项目不得经营，国家法律、法规限制的项目需取得许可后方可经营）。
变更后：
半导体及化合物半导体信息材料的技术研究、销售，砷化镓抛光片加工（不含危险化学品、易燃易爆品及剧毒品），进出口业务（国家法律、法规禁止的项目不得经营，国家法律、法规限制的项目取得许可后方可经营）。
变更项目：
投资人变更（包括出资额、出资方式、出资日期、投资人名称等）
变更日期：
2013-10-08
变更前：
投资人:山东齐星铁塔科技股份有限公司;投资人身份标识:;投资人类型:法人股东;证件类型:;证件号码:371600228026472;国别:中国;住所:;出资额:1176.380000;币种:人民币;汇率:1.000000;折万美元:1176.380000;出资比例:;出资方式:货币;承担责任:无限责任;出资比例:26.88%
变更后：
投资人:齐星集团有限公司;投资人身份标识:;投资人类型:法人股东;证件类型:中华人民共和国居民身份证;证件号码:371626228016550;国别:中国;住所:邹平县黛溪三路69号;出资额:1176.380000;币种:人民币;汇率:1.000000;折万美元:1176.380000;出资比例:;出资方式:货币;承担责任:无限责任;出资比例:26.88%
变更项目：
经营范围变更（含业务范围变更）
变更日期：
2011-12-27
变更前：
经营范围:许可经营项目：无。
变更后：
经营范围:许可经营项目:无。
变更项目：
投资人变更（包括出资额、出资方式、出资日期、投资人名称等）
变更日期：
2011-12-27
变更前：
占百分比:
变更后：
占百分比:26.88%
变更项目：
投资人变更（包括出资额、出资方式、出资日期、投资人名称等）
变更日期：
2011-12-27
变更前：
证件号码:
变更后：
证件号码:371600228026472
大庆佳昌晶能信息材料有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 大庆佳昌晶能信息材料有限公司 | www.chinajcce.com |
大庆佳昌晶能信息材料有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205311670U | 一种石英管周转手推车 | 2016.06.15 | 本实用新型提供一种石英管周转手推车。该石英管周转手推车，包括车架，车架为长方体框架结构，车架底端安装 |
| 2 | CN205077175U | 一种VGF法单晶生长装置 | 2016.03.09 | 本实用新型提供一种VGF法单晶生长装置。该装置包括PBN坩埚、石英管和石英帽三部分,所述的PBN坩埚 |
| 3 | CN205035485U | 一种VB/VGF法制备晶体用立封管支撑固定装置 | 2016.02.17 | 本实用新型提出一种VB/VGF法制备晶体用立封管支撑固定装置。所述的底座平台的中心位置设有籽晶槽保护 |
| 4 | CN204982141U | 一种用于单晶制备过程中的PBN坩埚固定底座 | 2016.01.20 | 本实用新型提出用于一种用于单晶制备过程中的PBN坩埚固定底座，PBN坩埚固定底座包括底座基体，所述的 |
| 5 | CN104073169B | 一种用于化合物半导体的化学机械抛光剂 | 2015.07.22 | 本发明提出一种用于化合物半导体的化学机械抛光剂。该抛光剂包括下列组分，氧化剂亚溴酸盐1 wt.%～5 |
| 6 | CN203967059U | 单片清洗用晶片夹固定装置 | 2014.11.26 | 本实用新型涉及一种单片清洗用晶片夹固定装置。主要解决了现有技术中存在的现有单片化学试剂清洗中造成晶片 |
| 7 | CN203960388U | 一种分体式VGF法单晶生长工艺用坩埚托 | 2014.11.26 | 本实用新型提出一种分体式VGF法单晶生长工艺用坩埚托。氯化钇稳定氧化锆材质的坩埚托主体（1）被沿轴向 |
| 8 | CN203960387U | 一种安瓿瓶夹持装置 | 2014.11.26 | 本实用新型提出一种安瓿瓶夹持装置。安瓿瓶夹持装置包括锁紧头（1），锁紧头（1）中下部沿轴向上均匀分布 |
| 9 | CN203870042U | 三维单色X射线衍射定向仪 | 2014.10.08 | 本实用新型提出三维单色X射线衍射定向仪。包括样品支架，样品支架的平台上设有楔形块，楔形块上平面与样品 |
| 10 | CN203866401U | 一种VGF、VB法单晶生长所用的非匀厚p-BN坩埚 | 2014.10.08 | 本实用新型提供一种VGF、VB法单晶生长技术所用的非匀厚p-BN坩埚，VGF、VB法单晶生长所用的非 |
| 11 | CN203863490U | 手动CMP设备抛光机的改进装置 | 2014.10.08 | 手动CMP设备抛光机的改进装置，涉及晶片加工的装置，本实用新型为了解决现有CMP设备的抛光机在使用过 |
| 12 | CN203865243U | 一种砷化镓D形晶片的包装箱 | 2014.10.08 | 本实用新型提供一种砷化镓D形晶片的包装箱。砷化镓D形晶片的包装箱，包括泡沫板，泡沫板厚度为砷化镓D形 |
| 13 | CN203859106U | 晶片加工中用取片架 | 2014.10.01 | 本实用新型涉及一种晶片加工中用取片架。主要解决了现有技术中存在的现有单片周转和放取装置容易造成晶片损 |
| 14 | CN104073872A | R-VGF法生长高质量化合物半导体单晶工艺 | 2014.10.01 | 本发明提出R-VGF法生长高质量化合物半导体单晶工艺。即R-VGF（Rotation-Vertica |
| 15 | CN104073169A | 一种用于化合物半导体的化学机械抛光剂 | 2014.10.01 | 本发明提出一种用于化合物半导体的化学机械抛光剂。该抛光剂包括下列组分，氧化剂亚溴酸盐1wt.%～5w |
免责声明
以上所展示的大庆佳昌晶能信息材料有限公司信息来源于互联网或由企业自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。传众对此不承担任何保证责任。