佛山市国星半导体技术有限公司
更新时间：2022-12-30 01:00 信息编号：7987790企业简介
佛山市国星半导体技术有限公司 成立于40612，注册地址在佛山市南海区罗村华南电光源灯饰城D区1路1号
，主要从事生产、研发、销售：LED外延片和芯片、LED器件、LED光源和灯具产品；半导体光电产品技术研究、咨询服务、加工服务；货物进出口、技术进出口（法律、行政法规禁止的项目除外；法律、行政法规限制的项目须取得许可后方可经营）。。欢迎交流合作！
联系方式
经营范围
佛山市国星半导体技术有限公司 主要经营：生产、研发、销售：LED外延片和芯片、LED器件、LED光源和灯具产品；半导体光电产品技术研究、咨询服务、加工服务；货物进出口、技术进出口（法律、行政法规禁止的项目除外；法律、行政法规限制的项目须取得许可后方可经营）。
佛山市国星半导体技术有限公司的工商信息
- 440600000024128
- 91440600570160743B
- 在营（开业）企业
- 有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
- 2011年03月10日
- 雷自合
- 60000.000000
- 2011年03月10日 至 永久
- 佛山市南海区工商行政管理局
- 2016年10月25日
- 佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
- 生产、研发、销售：LED外延片和芯片、LED器件、LED光源和灯具产品；半导体光电产品技术研究、咨询服务、加工服务；货物进出口、技术进出口（法律、行政法规禁止的项目除外；法律、行政法规限制的项目须取得许可后方可经营）。
佛山市国星半导体技术有限公司的股东信息
股东类型：
企业法人
股东：
佛山市国星光电股份有限公司
主要人员
唐群力
监事
雷自合
董事长
李程
董事
闫春辉（DAVID YOUNG)
董事
付小朝
董事
王森
董事
付小朝
总经理
佛山市国星半导体技术有限公司的变更记录
变更项目：
章程备案
变更日期：
2016-10-25
变更前：
章程修正案
变更后：
章程
变更项目：
负责人变更（法定代表人、负责人、首席代表、合伙事务执行人等变更）
变更日期：
2016-10-25
变更前：
杜雪红
变更后：
雷自合
变更项目：
市场主体类型变更
变更日期：
2016-10-25
变更前：
1190
变更后：
1152
变更项目：
章程备案
变更日期：
2015-10-21
变更前：
章程修正案
变更后：
章程修正案
变更项目：
负责人变更（法定代表人、负责人、首席代表、合伙事务执行人等变更）
变更日期：
2015-10-21
变更前：
王垚浩
变更后：
杜雪红
变更项目：
高级管理人员备案（董事、监事、经理等）
变更日期：
2015-10-21
变更前：
陈克洪,监事；邓锦明,监事主任；杜雪红,总经理（董事会聘用）；杜雪红,董事；秦力,董事；王垚浩,董事长；王森,董事；袁志敏,董事；闫兴,监事
变更后：
敖小敏,董事；陈克洪,监事；邓晓荣,监事会主席；杜雪红,总经理（董事会聘用）；杜雪红,董事长（董事会选举）；何勇,董事；王垚浩,董事；熊海涛,董事；祝进田（JINTIAN ZHU）,董事；闫春辉（DAVID YOUNG),董事；闫兴,监事
变更项目：
章程备案
变更日期：
2015-03-05
变更前：
变更后：
章程修正案
变更项目：
高级管理人员备案（董事、监事、经理等）
变更日期：
2015-03-05
变更前：
蔡炬怡,监事；陈克洪,监事；邓锦明,监事主任；杜雪红,董事；杜雪红,总经理（董事会聘用）；秦力,董事；王垚浩,董事长；王森,董事；袁志敏,董事
变更后：
陈克洪,监事；邓锦明,监事主任；杜雪红,董事；杜雪红,总经理（董事会聘用）；秦力,董事；王垚浩,董事长；王森,董事；袁志敏,董事；闫兴,监事
变更项目：
经营范围变更（含业务范围变更）
变更日期：
2013-09-29
变更前：
生产、研发、销售：LED外延片和芯片、LED器件、LED光源和灯具产品；货物进出口、技术进出口（法律、行政法规禁止的项目除外；法律、行政法规限制的项目须取得许可后方可经营）。
变更后：
生产、研发、销售：LED外延片和芯片、LED器件、LED光源和灯具产品；半导体光电产品技术研究、咨询服务、加工服务；货物进出口、技术进出口（法律、行政法规禁止的项目除外；法律、行政法规限制的项目须取得许可后方可经营）。
变更项目：
地址变更（住所地址、经营场所、驻在地址等变更）
变更日期：
2013-09-29
变更前：
佛山市南海区罗村街道朗沙村委会广东新光源产业基地核心区内B区1座之二（第五层11-20轴）
变更后：
佛山市南海区罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
佛山市国星半导体技术有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | www.nsscl.com |
佛山市国星半导体技术有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105932143A | 一种倒装LED芯片的制造方法 | 2016.09.07 | 一种倒装LED芯片的制造方法，提供第一衬底，在所述第一衬底上依次形成发光结构和第一绝缘层，在所述第一 |
| 2 | CN105957948A | 一种防漏蓝芯片 | 2016.09.21 | 一种防漏蓝芯片，具有第一通孔，且在第一通孔侧壁具有高反射性能的金属反射层，这样能较好的把芯片侧面的光 |
| 3 | CN106159056A | 一种倒装高压芯片及其制作方法 | 2016.11.23 | 本发明公开了一种倒装高压芯片及其制作方法，在发光微结构表面形成分布布拉格反射层，一方面将有源区发出的 |
| 4 | CN205508857U | 一种孔洞电极的发光二极管 | 2016.08.24 | 本实用新型公开了一种孔洞电极的发光二极管，包括：衬底、氮化镓基、多个电极孔洞、电流扩展层、绝缘层和电 |
| 5 | CN106252474A | 一种倒装白光LED芯片及其制造方法 | 2016.12.21 | 本发明公开一种倒装白光LED芯片及其制造方法，在衬底背离发光微结构一侧固定一荧光膜片，从而完成倒装L |
| 6 | CN205789976U | 一种LED芯片 | 2016.12.07 | 一种LED芯片，具有第一通孔，且在第一通孔侧壁具有高反射性能的DBR层，这样能较好的把芯片侧面的光反 |
| 7 | CN104409595B | 具有电流阻挡结构的垂直发光二极管及其制造方法 | 2017.05.03 | 本发明实施例公开了一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管，包括：位于底层的金属衬底；位于金属衬底表面的 |
| 8 | CN106601877A | 一种垂直结构LED芯片的制造方法 | 2017.04.26 | 一种垂直结构LED芯片的制造方法，仅采用2道光刻工艺，即可完成垂直结构LED芯片的制造，大大简化垂直 |
| 9 | CN106571414A | 一种垂直结构LED芯片的制造方法 | 2017.04.19 | 一种垂直结构LED芯片的制造方法，仅采用2道光刻工艺，即可完成垂直结构LED芯片的制造，大大简化垂直 |
| 10 | CN105345282B | 水导激光切割装置和切割方法 | 2017.04.05 | 本发明提供了一种水导激光切割装置和切割方法，包括激光源、分光系统和多个水容器；所述激光源用于发射激光 |
| 11 | CN106410007A | 一种双层电极LED芯片及其制作方法 | 2017.02.15 | 本发明提供一种双层电极LED芯片及其制作方法，通过两层电极结构的设计，在第一层电极外形成高电极电位第 |
| 12 | CN106410010A | 一种防漏蓝LED芯片的制造方法 | 2017.02.15 | 一种防漏蓝LED芯片的制造方法，对发光结构进行刻蚀，形成第一通孔，并在第一通孔侧壁形成具有高反射性能 |
| 13 | CN106409857A | 一种LED芯片 | 2017.02.15 | 一种LED芯片，具有第一通孔，且在第一通孔侧壁具有高反射性能的DBR层，这样能较好的把芯片侧面的光反 |
| 14 | CN106206883A | 一种倒装高压LED芯片 | 2016.12.07 | 本发明公开了一种倒装高压LED芯片，在发光微结构表面形成分布布拉格反射层，一方面将有源区发出的光反射 |
| 15 | CN205723602U | 一种防顶伤倒装LED芯片 | 2016.11.23 | 一种防顶伤倒装LED芯片，包括：衬底、发光结构、第一绝缘层，第一N型电极、第二绝缘层、第二N型电极和 |
| 16 | CN205723629U | 一种防漏蓝芯片 | 2016.11.23 | 一种防漏蓝芯片，具有第一通孔，且在第一通孔侧壁具有高反射性能的金属反射层，这样能较好的把芯片侧面的光 |
| 17 | CN105932120A | 一种具有侧壁DBR的LED芯片的制造方法 | 2016.09.07 | 一种具有侧壁DBR的LED芯片的制造方法，对发光结构进行刻蚀，形成第一通孔，并在第一通孔侧壁形成具有 |
| 18 | CN103779473B | LED芯片及其制作方法、LED发光器件 | 2016.08.24 | 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法、LED发光器件，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上依次形成 |
| 19 | CN205507356U | 一种紫外激光光刻装置 | 2016.08.24 | 本实用新型提供了一种紫外激光光刻装置，包括：紫外激光发生器和聚光镜组；所述紫外激光发生器用于发射紫外 |
| 20 | CN105826442A | 氮化镓材料层表面粗化的方法 | 2016.08.03 | 本发明提供一种氮化镓材料层表面粗化的方法，包括：提供待粗化的晶圆；将所述晶圆背离衬底一侧固定在耐腐蚀 |
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