深圳市快星半导体电子有限公司

更新时间:2022-12-26 00:19 信息编号:7083711
企业简介
深圳市快星半导体电子有限公司 成立于,注册地址在45区宝晖大厦708号房 ,主要从事半导体电子及其他电子产品的销售;国内商业物资供销业(以上均不含专营、专控、专卖商品)。。欢迎交流合作!
联系方式
联系人:詹前发 邮编:518101 注册资金: 50 万 人民币 商铺: 7083711.czvv.com 地址:45区宝晖大厦708号房
经营范围

深圳市快星半导体电子有限公司 主要经营:半导体电子及其他电子产品的销售;国内商业物资供销业(以上均不含专营、专控、专卖商品)。

深圳市快星半导体电子有限公司的工商信息
  • 440301103598460
  • 91440300748858306G
  • 在营(开业)企业
  • 有限责任公司(自然人独资)
  • 2003年04月04日
  • 詹创发
  • 400.000000
  • 2003年04月04日 至 永久
  • 市市场和质量监管委福田局
  • 2016年04月29日
  • 深圳市福田区振华路中航苑鼎诚大厦2708(仅限办公)
  • 半导体、电子产品、集成电路的技术开发、销售、技术转让及技术咨询;国内贸易(不含专营、专控、专卖商品)。^
深圳市快星半导体电子有限公司的股东信息
股东类型: 自然人股东
股东: 詹创发
主要人员
詹创发
詹泽宏 监事
詹创发 执行董事
詹创发 总经理
深圳市快星半导体电子有限公司的变更记录
变更项目: 其他事项备案
变更日期: 2016-04-29
变更前:
变更后:
变更项目: 其他事项备案
变更日期: 2016-04-29
变更前:
变更后:
变更项目: 经营范围变更(含业务范围变更)
变更日期: 2015-01-14
变更前: 股东名称:詹创发、出资额:100.00、出资比例:100.000000;
变更后: 股东名称:詹创发、出资额:400.00、出资比例:100.000000;
变更项目: 期限变更(经营期限、营业期限、驻在期限等变更)
变更日期: 2015-01-14
变更前: 100.00
变更后: 400.00
变更项目: 负责人变更(法定代表人、负责人、首席代表、合伙事务执行人等变更)
变更日期: 2014-11-06
变更前: 詹前发
变更后: 詹创发
变更项目: 经营范围变更(含业务范围变更)
变更日期: 2014-11-06
变更前: 股东名称:詹前发、出资额:100.00、出资比例:100.000000;
变更后: 股东名称:詹创发、出资额:100.00、出资比例:100.000000;
变更项目: 高级管理人员备案(董事、监事、经理等)
变更日期: 2014-11-06
变更前: 成员名称:詹泽宏、成员职务:监事;成员名称:詹前发、成员职务:执行(常务)董事;成员名称:詹前发、成员职务:总经理;
变更后: 成员名称:詹创发、成员职务:执行(常务)董事;成员名称:詹泽宏、成员职务:监事;成员名称:詹创发、成员职务:总经理;
变更项目: 一般经营项目变更
变更日期: 2014-01-16
变更前: 半导体、电子产品、集成电路的技术开发和销售及相关技术咨询;国内贸易(不含专营、专控、专卖商品)。^
变更后: 半导体、电子产品、集成电路的技术开发、销售、技术转让及技术咨询;国内贸易(不含专营、专控、专卖商品)。^
深圳市快星半导体电子有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 7840754 FASTSTAR 2009-11-17 照明用发光管;照明器械及装置;电灯插座;日光灯管;漫射灯;提灯;水暖装置 查看详情
2 8172551 快星 2010-04-01 茶饮料;冰茶;含牛奶的巧克力饮料;咖啡饮料;糖果;非医用营养液;甜食;八宝饭;谷类制品;方便面;以谷物为主的零食小吃;豆浆;含淀粉食品;冰淇淋;调味品;酵母;食用芳香剂;家用嫩肉剂 查看详情
3 7840784 FASTSTAR 2009-11-17 广告;特许经营的商业管理;进出口代理;替他人推销;替他人采购(替其他企业购买商品或服务);人事管理咨询;商业场所搬迁;替他人预定电讯服务;会计;寻找赞助 查看详情
4 7840794 FASTSTAR 2009-11-17 商品电子标签;电传真设备;电动开门器 查看详情
5 7838466 快星 2009-11-16 维修信息;建筑;室内装璜;供暖设备的安装和修理;电器设备的安装与修理;计算机硬件安装、维护和修理;车辆保养;照相器材修理;家具保养;清洗衣服 查看详情
深圳市快星半导体电子有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN205752179U 一种新型功率半导体器件及其边缘终端结构 2016.11.30 本实用新型公开了一种新型功率半导体器件及其边缘终端结构,包括多段浮空场板和功率芯片,多段浮空场板的下
2 CN205740353U 一种基于介电润湿效应的液体场效应管 2016.11.30 本实用新型公开了一种基于介电润湿效应的液体场效应管,包括本体,所述本体内设置有电离子层和沟道,所述沟
3 CN205752193U 一种硅基大倍数红外光敏三极管 2016.11.30 本实用新型公开了一种硅基大倍数红外光敏三极管,包括衬板,衬板的上表面固定安装有外壳,衬板的中间有凸台
4 CN205752184U 一种低压大功率平面稳压二极管 2016.11.30 本实用新型公开了一种低压大功率平面稳压二极管,它包括陶瓷壳体,所述陶瓷壳体内设置有N结,所述N结内设
5 CN205755239U 一种基于硅通孔技术的三维集成电路箱 2016.11.30 本实用新型公开了一种基于硅通孔技术的三维集成电路箱,它包括机箱与基板,所述基板设置在机箱内,所述基板
6 CN205752259U 一种高性能小分子有机光敏场效应管 2016.11.30 本实用新型公开了一种高性能小分子有机光敏场效应管,包括本体,还包括有机介质区和增强区,所述增强区和有
7 CN205752178U 一种用于智能功率集成电路的功率半导体器件 2016.11.30 本实用新型公开了一种用于智能功率集成电路的功率半导体器件,包括半导体衬底和功率芯片,半导体衬底的顶部
8 CN205752177U 一种硅高频低噪声晶体三极管 2016.11.30 本实用新型公开了一种硅高频低噪声晶体三极管,包括底座,底座的上表面固定安装有管帽,管帽内安装有三极管
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