合肥恒烁半导体有限公司
更新时间：2022-07-14 00:38 信息编号：33751146企业简介
合肥恒烁半导体有限公司 成立于2015年02月13日，注册地址在合肥市庐阳区工投兴庐科技产业园2号楼6层
，主要从事半导体存储器芯片和其他半导体器件研发、设计、技术开发、转让、服务；自营和代理各类商品和技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）；电子、电气产品的销售。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。欢迎交流合作！
联系方式
电话：0551-65673255
邮箱：490261774@qq.com
邮编：230001
注册资金：
3852.330000
万
人民币
商铺：
33751146.czvv.com
地址：合肥市庐阳区工投兴庐科技产业园2号楼6层
经营范围
合肥恒烁半导体有限公司 主要经营：半导体存储器芯片和其他半导体器件研发、设计、技术开发、转让、服务；自营和代理各类商品和技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）；电子、电气产品的销售。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
合肥恒烁半导体有限公司的工商信息
- 340100001197545
- 91340100327991758Q
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2015年02月13日
- XIANG DONG LU
- 3852.330000
- 2015年02月13日 至 2065年02月12日
- 合肥市工商行政管理局
- 2017年07月10日
- 合肥市庐阳区工投兴庐科技产业园2号楼6层
- 半导体存储器芯片和其他半导体器件研发、设计、技术开发、转让、服务；自营和代理各类商品和技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）；电子、电气产品的销售。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
合肥恒烁半导体有限公司的股东信息
股东类型：
企业法人
股东：
安徽省高新技术产业投资有限公司
股东类型：
企业法人
股东类型：
企业法人
股东：
合肥市创新科技风险投资有限公司
股东类型：
自然人股东
股东：
栾立刚
股东类型：
自然人股东
股东：
吕轶南
股东类型：
自然人股东
股东：
孟凡安
股东类型：
自然人股东
股东：
董强
主要人员
XIANG DONG LU
周晓芳
监事
XIANG DONG LU
董事兼总经理
吕轶南
董事长
李赵劼
董事
卢涛
董事
孟祥薇
董事
栾立刚
董事
董强
董事
合肥恒烁半导体有限公司的变更记录
变更项目：
注册资本变更（注册资金、资金数额等变更）
变更日期：
2017-07-10
变更前：
3428.57
变更后：
3852.330000
变更项目：
投资人变更（包括出资额、出资方式、出资日期、投资人名称等）
变更日期：
2017-07-10
变更前：
吕轶南:47.03%;董强:21.14%;孟凡安:11.66%;合肥市创新科技风险投资有限公司:7.81%;栾立刚:7.65%;安徽省高新技术产业投资有限公司:4.68%;
变更后：
合肥中安庐阳创业投资基金合伙企业（有限合伙）:11%;合肥市创新科技风险投资有限公司:6.95%;栾立刚:6.81%;吕轶南:41.86%;孟凡安:10.38%;董强:18.81%;安徽省高新技术产业投资有限公司:4.17%;
变更项目：
章程备案
变更日期：
2017-01-24
变更前：
无
变更后：
无
变更项目：
注册资本变更（注册资金、资金数额等变更）
变更日期：
2017-01-24
变更前：
3160.71
变更后：
3428.570000
变更项目：
高级管理人员备案（董事、监事、经理等）
变更日期：
2017-01-24
变更前：
卢涛、唐文红、XIANG DONG LU、栾立刚、董强、吕轶南、孟凡安、周晓芳
变更后：
卢涛、李赵劼、XIANG DONG LU、栾立刚、董强、吕轶南、孟祥薇、周晓芳
变更项目：
投资人变更（包括出资额、出资方式、出资日期、投资人名称等）
变更日期：
2017-01-24
变更前：
栾立刚:8.3%;吕轶南:51.02%;孟凡安:12.65%;董强:22.93%;安徽省高新技术产业投资有限公司:5.08%;
变更后：
合肥市创新科技风险投资有限公司:7.81%;栾立刚:7.65%;吕轶南:47.03%;孟凡安:11.66%;董强:21.14%;安徽省高新技术产业投资有限公司:4.68%;
变更项目：
章程备案
变更日期：
2016-09-14
变更前：
无
变更后：
无
变更项目：
注册资本变更（注册资金、资金数额等变更）
变更日期：
2016-09-14
变更前：
3000
变更后：
3160.710000
变更项目：
高级管理人员备案（董事、监事、经理等）
变更日期：
2016-09-14
变更前：
栾立刚、董强、吕轶南、孟凡安、周晓芳
变更后：
卢涛、唐文红、吕向东、栾立刚、董强、吕轶南、孟凡安、周晓芳
变更项目：
投资人变更（包括出资额、出资方式、出资日期、投资人名称等）
变更日期：
2016-09-14
变更前：
栾立刚:8.74%;吕轶南:53.75%;孟凡安:13.33%;董强:24.16%;
变更后：
栾立刚:8.3%;吕轶南:51.02%;孟凡安:12.65%;董强:22.93%;安徽省高新技术产业投资有限公司:5.08%;
合肥恒烁半导体有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 合肥恒烁半导体有限公司 | http://www.zbitsemi.com/ |
| 网站 | 合肥恒烁半导体有限公司 | www.zbitsemi.com |
合肥恒烁半导体有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106601747A | 单元阵体区域易于紫外线透光的版图布线方法 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种单元阵体区域易于紫外线透光的版图布线方法，其包括下列步骤：步骤一，在单元阵体区域内排 |
| 2 | CN106601293A | 一种处理FLASH存储器中数据的方法及系统 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种处理FLASH存储器中数据的方法，包括以下步骤：S10、将一块存储阵列划分成2n行* |
| 3 | CN106601304A | NOR存储芯片校验过程中的防漏电方法 | 2017.04.26 | 本发明提供了一种NOR存储芯片校验过程中的防漏电方法，包括以下步骤：步骤一、擦写结束后，校验开始前， |
| 4 | CN106602866A | 电荷泵 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种电荷泵，其包括倒向放大器、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第五三极管 |
| 5 | CN104934068A | 一种NAND型闪存存储器读取操作时的字线电压生成电路 | 2015.09.23 | 本发明公开了一种NAND型闪存存储器读取操作时的字线电压生成电路，包括第一电压生成电路、第二电压生成 |
| 6 | CN104934064A | 一种NAND型闪存存储器的块擦除方法 | 2015.09.23 | 本发明公开了一种NAND型闪存存储器的块擦除方法，包括：擦除操作、擦除校验操作、软编程操作和软编程校 |
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