锐迪科微电子(上海)有限公司

更新时间:2023-04-13 11:15 信息编号:30011742
企业简介
锐迪科微电子(上海)有限公司 成立于2004年04月13日,注册地址在中国(上海)自由贸易试验区碧波路690号4号楼6楼 ,主要从事集成电路和移动通信系统基站设备、交换设备及数字集群系统设备的设计、研究、开发、制造,销售自产产品,并提供相关技术咨询和技术服务,上述同类产品的批发、进出口、佣金代理(拍卖除外)及其他相关配套业务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】。欢迎交流合作!
联系方式
电话:02180213000 邮箱:kunqi@rdamicro 邮编:201203 注册资金: 2200.000000 万 人民币 商铺: 30011742.czvv.com 地址:中国(上海)自由贸易试验区碧波路690号4号楼6楼
经营范围

锐迪科微电子(上海)有限公司 主要经营:集成电路和移动通信系统基站设备、交换设备及数字集群系统设备的设计、研究、开发、制造,销售自产产品,并提供相关技术咨询和技术服务,上述同类产品的批发、进出口、佣金代理(拍卖除外)及其他相关配套业务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】

锐迪科微电子(上海)有限公司的工商信息
  • 310115400147804
  • 91310000760897631W
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司(台港澳与境内合资)
  • 2004年04月13日
  • 曾学忠
  • 2200.000000
  • 2004年04月13日 至 2034年04月12日
  • 自由贸易试验区市场监管局
  • 2004年04月13日
  • 中国(上海)自由贸易试验区碧波路690号4号楼101室
  • 集成电路和移动通信系统基站设备、交换设备及数字集群系统设备的设计、研究、开发,数字处理软件(音像制品、电子出版物除外)的研发、制作,销售自产产品,并提供相关技术咨询和技术服务,上述同类产品的批发、进出口、佣金代理(拍卖除外)及其他相关配套服务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
锐迪科微电子(上海)有限公司的股东信息
股东类型: 企业法人
股东类型: 企业法人
股东: RDA Technologies Limited
主要人员
曾学忠
贾韶旭 监事
曾学忠 董事长
刘旭黎 董事
赵伟国 董事
王靖明 董事
WEI SHURAN(魏述然) 董事
锐迪科微电子(上海)有限公司的变更记录
变更项目: 一般经营项目变更
变更日期: 2018-03-29
变更前: 集成电路和移动通信系统基站设备、交换设备及数字集群系统设备的设计、研究、开发、制造,销售自产产品,并提供相关技术咨询和技术服务,上述同类产品的批发、进出口、佣金代理(拍卖除外)及其他相关配套业务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
变更后: 集成电路和移动通信系统基站设备、交换设备及数字集群系统设备的设计、研究、开发,数字处理软件(音像制品、电子出版物除外)的研发、制作,销售自产产品,并提供相关技术咨询和技术服务,上述同类产品的批发、进出口、佣金代理(拍卖除外)及其他相关配套服务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
变更项目: 章程备案
变更日期: 2018-03-29
变更前: 王靖明
变更后: 贾韵旭
变更项目: 负责人变更(法定代表人、负责人、首席代表、合伙事务执行人等变更)
变更日期: 2018-03-29
变更前: LI LIYOU LEO(李力游)
变更后: 曾学忠
变更项目: 高级管理人员备案(董事、监事、经理等)
变更日期: 2018-03-29
变更前: WEI SHURAN(魏述然);ZHAO LIDONG(赵立东)
变更后: WEI SHURAN(魏述然);赵伟国;王靖明;刘旭黎
变更项目: 地址变更(住所地址、经营场所、驻在地址等变更)
变更日期: 2018-03-29
变更前: 中国(上海)自由贸易试验区碧波路690号4号楼6楼
变更后: 中国(上海)自由贸易试验区碧波路690号4号楼101室
变更项目: 经营范围变更(含业务范围变更)
变更日期: 2016-07-07
变更前: RDA Technologies Limited
变更后: RDA Technologies Limited;北京冠清展锐科技有限公司
变更项目: 章程备案
变更日期: 2016-07-07
变更前: 董丽
变更后: 王靖明
变更项目: 负责人变更(法定代表人、负责人、首席代表、合伙事务执行人等变更)
变更日期: 2016-07-07
变更前: 魏述然(WEI SHURAN)
变更后: LI LIYOU LEO(李力游)
变更项目: 期限变更(经营期限、营业期限、驻在期限等变更)
变更日期: 2016-07-07
变更前: 550.0000万美元
变更后: 2200.0000万美元
锐迪科微电子(上海)有限公司的域名
类型 名称 网址
网站 RDA www.rdamicro.com
网站 RDA WWW.RDAMICRO.COM
网站 RDA网址 http://www.rdamicro.com
锐迪科微电子(上海)有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN101145764A 运算放大器的输出级电路 2008.03.19 本发明公开了一种运算放大器的输出级电路,包括两个漏极连接在一起的三极管M1和M2,所述三极管M1和M
2 CN101656517A 高低功率射频放大器电路、芯片及工作方法 2010.02.24 本发明公开了一种高低功率射频放大器电路,一个直流控制电路分别为并联连接的高、低功率放大器电路提供直流
3 CN101378259A 相位选择可编程分频器 2009.03.04 本发明公开了一种相位选择可编程分频器,在相位选择产生电路中只需要一个累加器,从而简化了相位选择逻辑的
4 CN105811914A 一种体声波器件、集成结构及制造方法 2016.07.27 本申请公开了一种体声波器件,采用包含绝缘层的衬底,绝缘层一侧的半导体材料中具有空腔,绝缘层另一侧与空
5 CN105680813A 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 2016.06.15 本申请公开了一种薄膜体声波谐振器(FBAR),是在衬底的上方具有空腔,在空腔的上方还具有下电极、上电
6 CN106230391A 一种功率放大器的线性化电流偏置电路 2016.12.14 本申请公开了一种功率放大器的线性化电流偏置电路,包括:——电流源,用来提供固定偏置电流;——线性电流
7 CN106230390A 一种功率放大器的温度补偿电路 2016.12.14 本申请公开了一种功率放大器的温度补偿电路,是将恒定的偏置电流进行温度补偿、或者是将恒定的偏置电压转换
8 CN106229953A 一种静电放电防护电路 2016.12.14 本申请公开了一种静电放电防护电路,在敏感电路单元的电源通道上设置开关器件;和/或,设置驱动器件来控制
9 CN106571780A 一种自适应偏置的射频功率放大器 2017.04.19 本申请公开了一种自适应偏置的射频功率放大器,包括偏置电路和功率级放大电路。所述偏置电路用来为功率级放
10 CN106559050A 一种自适应负载的差分放大电路 2017.04.05 本申请公开了一种自适应负载的差分放大电路,包括放大单元和反馈单元。所述放大单元采用差分结构,用于将一
11 CN106559048A 一种多模射频功率放大器 2017.04.05 本申请公开了一种多模射频功率放大器,包括:共用放大电路将输入射频信号进行功率放大;谐波抑制电路通过开
12 CN106559041A 一种射频功率放大器的偏置控制电路以及控制方法 2017.04.05 本申请公开了一种射频功率放大器的偏置控制电路,包括控制器和延时检测电路。控制器包括一个控制电路和多个
13 CN106533374A 一种多频GSM射频功率放大器 2017.03.22 本申请公开了一种多频GSM射频功率放大器,依次包括输入匹配网络、初级放大单元、级间耦合电容、驱动级放
14 CN106452378A 一种饱和功率放大器的功率控制电路 2017.02.22 本申请公开了一种饱和功率放大器的功率控制电路,包括预处理电路与传统功率控制电路。所述预处理电路的输出
15 CN106452377A 一种自适应补偿的射频功率放大器 2017.02.22 本申请公开了一种自适应补偿的射频功率放大器。转换电路产生两路同相的输入信号。驱动级电路中,PMOSF
16 CN106405222A 一种射频功率检测电路 2017.02.15 本申请公开了一种射频功率检测电路,包括第一级电路、第二级电路和保护电路。所述第一级电路包括放大晶体管
17 CN106208980A 一种射频功率放大器偏置电路及其实现方法 2016.12.07 本申请公开了一种射频功率放大器偏置电路,所述偏置电路包括由两个三极管构成的差分放大器,差分放大器以这
18 CN105958963A 一种封装结构及其制造方法 2016.09.21 本申请公开了一种封装结构,具有器件的衬底倒装焊接在基板上,金属凸块将器件的引脚对外电性引出到基板。第
19 CN105743519A 一种射频发射电路、双向耦合器及定向耦合器 2016.07.06 本申请公开了一种射频发射电路,包括射频发射机、天线开关和天线。在天线开关和天线之间设置有双向耦合器和
20 CN105703736A 一种体声波器件及集成结构 2016.06.22 本申请公开了一种体声波器件,采用包含绝缘层的衬底,在绝缘层一侧的半导体材料中具有空腔,在该层半导体材
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