苏州同冠微电子有限公司

更新时间:2023-02-27 03:03 信息编号:13260370
企业简介
苏州同冠微电子有限公司 成立于2012-12-14,注册地址在张家港市杨舍镇乘航东苑路与镇中路交叉处西南角1室 ,主要从事低能耗半导体功率器件生产及销售;功率半导体器件及智能功率控制器件的设计、研究、开发、技术转让;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)。欢迎交流合作!
联系方式
联系人:杨培兴 邮编:215617 注册资金: 25000 万 人民币 商铺: 13260370.czvv.com 地址:张家港市杨舍镇乘航东苑路与镇中路交叉处西南角1室
经营范围

苏州同冠微电子有限公司 主要经营:低能耗半导体功率器件生产及销售;功率半导体器件及智能功率控制器件的设计、研究、开发、技术转让;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)

苏州同冠微电子有限公司的工商信息
  • 320582000275748
  • 91320582058676425P
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司
  • 2012年12月14日
  • 杨培兴
  • 25000.000000
  • 2012年12月14日 至 2042年12月13日
  • 张家港市市场监督管理局
  • 2017年04月12日
  • 张家港经济技术开发区新丰东路3号
  • 低能耗半导体功率器件生产及销售;功率半导体器件及智能功率控制器件的设计、研究、开发、技术转让;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
苏州同冠微电子有限公司的股东信息
股东类型: 企业法人
股东类型: 企业法人
股东类型: 企业法人
股东类型: 企业法人
股东类型: 自然人股东
股东: 刘晓萌
主要人员
杨培兴
刘松涛 监事
刘晓萌 监事
薛芳峰 董事兼总经理
杨培兴 董事长
周承捷 董事
陆文朝 董事
谷树林 董事
周炳 董事
杨聪 董事
苏州同冠微电子有限公司的变更记录
变更项目: 经营范围变更(含业务范围变更)
变更日期: 2016-11-28
变更前: 功率半导体器件及智能功率控制器件的设计、研究、开发、技术转让;低能耗半导体功率器件生产及销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
变更后: 低能耗半导体功率器件生产及销售;功率半导体器件及智能功率控制器件的设计、研究、开发、技术转让;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
变更项目: 地址变更(住所地址、经营场所、驻在地址等变更)
变更日期: 2016-11-28
变更前: 张家港经济技术开发区南区南园路和新丰东路交叉口
变更后: 张家港经济技术开发区新丰东路3号
苏州同冠微电子有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 13219056 SZTG 2013-09-10 半导体;集成电路;芯片(集成电路);半导体器件;控制板(电);智能卡(集成电路卡);内部通讯装置;电子监控装置;测量仪器;电子防盗装置; 查看详情
苏州同冠微电子有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN205289189U 刻蚀机台用排风罩 2016.06.08 本实用新型公开了一种刻蚀机台用排风罩,包括罩体和控制阀,所述罩体由送风部和通风管构成,所述控制阀设置
2 CN205828394U 一种沟槽型CoolMOS 2016.12.21 本实用新型属于半导体器件技术领域,一种沟槽型CoolMOS,由下到上依次包括背面金属层、N+衬底、N
3 CN103963375B 硅片背面金属化共晶结构及其制造工艺 2016.12.28 本发明公开了硅片背面金属化共晶结构及其制造工艺,其中硅片背面金属化共晶结构,包括设置在硅片上的Ti金
4 CN206058023U 一种互锁式安全开关 2017.03.29 本实用新型涉及一种互锁式安全开关,包括第一开关、第二开关和一传感器,所述传感器提供第一控制信号到所述
5 CN206046635U 一种防水排风管 2017.03.29 一种防水排风管,包括多个固定连接在一起的风管,设置在其中两风管之间的挡板,及与风管侧壁下端连通的排水
6 CN106323181A 光刻胶厚度的确定方法 2017.01.11 本发明公开了一种光刻胶厚度的确定方法,包括以下步骤:S101.准备多个测试晶圆;S102.在n个测试
7 CN106298495A 一种半导体薄膜的制备方法 2017.01.04 本发明公开了一种半导体薄膜的制备方法,包括以下步骤:S101.提供基底;S102.在基底上形成薄膜;
8 CN106154770A 一种显影均匀性检测方法 2016.11.23 本发明公开了一种显影均匀性检测方法,包括以下步骤:曝光模式预设:根据承印晶圆的规格,在光刻机上进行多
9 CN105990127A 刻蚀半导体沟槽的刻蚀方法 2016.10.05 本发明涉及一种刻蚀半导体沟槽的刻蚀方法,包括以下步骤:(1)牺牲氧化及硬掩膜沉积;(2)光刻及硬掩膜
10 CN105870194A 一种沟槽型CoolMOS及其制作方法 2016.08.17 本发明属于半导体器件技术领域,一种沟槽型CoolMOS,由下到上依次包括背面金属层、N+衬底、N‑外
11 CN105807569A 光刻机设备间特征尺寸匹配系统及方法 2016.07.27 本发明属于半导体制造技术领域,具体涉及一种用于光刻机设备间特征尺寸匹配系统,包括:条件定义单元,用于
12 CN205308931U 一种干式蚀刻机用防护罩 2016.06.15 本实用新型公开了一种干式蚀刻机用防护罩,包括一块顶板和两块侧板,所述侧板对称固定在顶板两边,所述侧板
13 CN205303436U 一种真空吸笔 2016.06.08 本实用新型提供一种真空吸笔,用于吸取硅片,包括笔头、与笔头连接的笔杆、套接在笔杆一端的软管和套接在软
14 CN105610300A 一种电源开关接口电路 2016.05.25 一种电源开关接口电路,包括,主功率开关和信号接收电路,所述信号接收电路具有输入端和输出端,所述信号接
15 CN205247061U 一种冷却水循环系统 2016.05.18 本实用新型提供一种冷却水循环系统,用于对光刻机内部的冷却系统提供循环冷却水,包括进水阀、管接在进水阀
16 CN205241782U 一种用于电子束蒸发设备的布线结构 2016.05.18 本实用新型公开了一种用于电子束蒸发设备的布线结构,包括设置在电子束蒸发设备平台上的布线管,所述布线管
17 CN205249034U 一种电源开关接口电路 2016.05.18 一种电源开关接口电路,包括,主功率开关和信号接收电路,所述信号接收电路具有输入端和输出端,所述信号接
18 CN205237941U 一种用于拆装磨轮的辅助工具 2016.05.18 本实用新型提供一种用于拆装磨轮的辅助工具,该工具在减薄机更换磨轮时使用,包括一体成型的托盘和设于托盘
19 CN205177790U 背凹超减薄晶圆的电性测试装置 2016.04.20 本实用新型涉及晶圆电性能测试技术领域,一种背凹超减薄晶圆的电性测试装置,包括测试台盘、限位装置、水银
20 CN204761923U 大规模电路板散热效率提升装置 2015.11.11 本实用新型公开了一种大规模电路板散热效率提升装置,包括:内设电路板的机箱,所述机箱顶部设有送风装置,
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