苏州同冠微电子有限公司
更新时间:2023-02-27 03:03 信息编号:13260370企业简介
苏州同冠微电子有限公司 成立于2012-12-14,注册地址在张家港市杨舍镇乘航东苑路与镇中路交叉处西南角1室
,主要从事低能耗半导体功率器件生产及销售;功率半导体器件及智能功率控制器件的设计、研究、开发、技术转让;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)。欢迎交流合作!
联系方式
经营范围
苏州同冠微电子有限公司 主要经营:低能耗半导体功率器件生产及销售;功率半导体器件及智能功率控制器件的设计、研究、开发、技术转让;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
苏州同冠微电子有限公司的工商信息
- 320582000275748
- 91320582058676425P
- 存续(在营、开业、在册)
- 有限责任公司
- 2012年12月14日
- 杨培兴
- 25000.000000
- 2012年12月14日 至 2042年12月13日
- 张家港市市场监督管理局
- 2017年04月12日
- 张家港经济技术开发区新丰东路3号
- 低能耗半导体功率器件生产及销售;功率半导体器件及智能功率控制器件的设计、研究、开发、技术转让;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
苏州同冠微电子有限公司的股东信息
股东类型:
企业法人
股东:
张家港骏马涤纶制品有限公司
股东类型:
企业法人
股东:
张家港市金科创业投资有限公司
股东类型:
企业法人
股东:
张家港市金茂创业投资有限公司
股东类型:
企业法人
股东:
上海贝岭股份有限公司
股东类型:
自然人股东
股东:
刘晓萌
主要人员
杨培兴
刘松涛
监事
刘晓萌
监事
薛芳峰
董事兼总经理
杨培兴
董事长
周承捷
董事
陆文朝
董事
谷树林
董事
周炳
董事
杨聪
董事
苏州同冠微电子有限公司的变更记录
变更项目:
经营范围变更(含业务范围变更)
变更日期:
2016-11-28
变更前:
功率半导体器件及智能功率控制器件的设计、研究、开发、技术转让;低能耗半导体功率器件生产及销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
变更后:
低能耗半导体功率器件生产及销售;功率半导体器件及智能功率控制器件的设计、研究、开发、技术转让;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
变更项目:
地址变更(住所地址、经营场所、驻在地址等变更)
变更日期:
2016-11-28
变更前:
张家港经济技术开发区南区南园路和新丰东路交叉口
变更后:
张家港经济技术开发区新丰东路3号
苏州同冠微电子有限公司的商标信息
序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
1 | 13219056 | SZTG | 2013-09-10 | 半导体;集成电路;芯片(集成电路);半导体器件;控制板(电);智能卡(集成电路卡);内部通讯装置;电子监控装置;测量仪器;电子防盗装置; | 查看详情 |
苏州同冠微电子有限公司的专利信息
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN205289189U | 刻蚀机台用排风罩 | 2016.06.08 | 本实用新型公开了一种刻蚀机台用排风罩,包括罩体和控制阀,所述罩体由送风部和通风管构成,所述控制阀设置 |
2 | CN205828394U | 一种沟槽型CoolMOS | 2016.12.21 | 本实用新型属于半导体器件技术领域,一种沟槽型CoolMOS,由下到上依次包括背面金属层、N+衬底、N |
3 | CN103963375B | 硅片背面金属化共晶结构及其制造工艺 | 2016.12.28 | 本发明公开了硅片背面金属化共晶结构及其制造工艺,其中硅片背面金属化共晶结构,包括设置在硅片上的Ti金 |
4 | CN206058023U | 一种互锁式安全开关 | 2017.03.29 | 本实用新型涉及一种互锁式安全开关,包括第一开关、第二开关和一传感器,所述传感器提供第一控制信号到所述 |
5 | CN206046635U | 一种防水排风管 | 2017.03.29 | 一种防水排风管,包括多个固定连接在一起的风管,设置在其中两风管之间的挡板,及与风管侧壁下端连通的排水 |
6 | CN106323181A | 光刻胶厚度的确定方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种光刻胶厚度的确定方法,包括以下步骤:S101.准备多个测试晶圆;S102.在n个测试 |
7 | CN106298495A | 一种半导体薄膜的制备方法 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种半导体薄膜的制备方法,包括以下步骤:S101.提供基底;S102.在基底上形成薄膜; |
8 | CN106154770A | 一种显影均匀性检测方法 | 2016.11.23 | 本发明公开了一种显影均匀性检测方法,包括以下步骤:曝光模式预设:根据承印晶圆的规格,在光刻机上进行多 |
9 | CN105990127A | 刻蚀半导体沟槽的刻蚀方法 | 2016.10.05 | 本发明涉及一种刻蚀半导体沟槽的刻蚀方法,包括以下步骤:(1)牺牲氧化及硬掩膜沉积;(2)光刻及硬掩膜 |
10 | CN105870194A | 一种沟槽型CoolMOS及其制作方法 | 2016.08.17 | 本发明属于半导体器件技术领域,一种沟槽型CoolMOS,由下到上依次包括背面金属层、N+衬底、N‑外 |
11 | CN105807569A | 光刻机设备间特征尺寸匹配系统及方法 | 2016.07.27 | 本发明属于半导体制造技术领域,具体涉及一种用于光刻机设备间特征尺寸匹配系统,包括:条件定义单元,用于 |
12 | CN205308931U | 一种干式蚀刻机用防护罩 | 2016.06.15 | 本实用新型公开了一种干式蚀刻机用防护罩,包括一块顶板和两块侧板,所述侧板对称固定在顶板两边,所述侧板 |
13 | CN205303436U | 一种真空吸笔 | 2016.06.08 | 本实用新型提供一种真空吸笔,用于吸取硅片,包括笔头、与笔头连接的笔杆、套接在笔杆一端的软管和套接在软 |
14 | CN105610300A | 一种电源开关接口电路 | 2016.05.25 | 一种电源开关接口电路,包括,主功率开关和信号接收电路,所述信号接收电路具有输入端和输出端,所述信号接 |
15 | CN205247061U | 一种冷却水循环系统 | 2016.05.18 | 本实用新型提供一种冷却水循环系统,用于对光刻机内部的冷却系统提供循环冷却水,包括进水阀、管接在进水阀 |
16 | CN205241782U | 一种用于电子束蒸发设备的布线结构 | 2016.05.18 | 本实用新型公开了一种用于电子束蒸发设备的布线结构,包括设置在电子束蒸发设备平台上的布线管,所述布线管 |
17 | CN205249034U | 一种电源开关接口电路 | 2016.05.18 | 一种电源开关接口电路,包括,主功率开关和信号接收电路,所述信号接收电路具有输入端和输出端,所述信号接 |
18 | CN205237941U | 一种用于拆装磨轮的辅助工具 | 2016.05.18 | 本实用新型提供一种用于拆装磨轮的辅助工具,该工具在减薄机更换磨轮时使用,包括一体成型的托盘和设于托盘 |
19 | CN205177790U | 背凹超减薄晶圆的电性测试装置 | 2016.04.20 | 本实用新型涉及晶圆电性能测试技术领域,一种背凹超减薄晶圆的电性测试装置,包括测试台盘、限位装置、水银 |
20 | CN204761923U | 大规模电路板散热效率提升装置 | 2015.11.11 | 本实用新型公开了一种大规模电路板散热效率提升装置,包括:内设电路板的机箱,所述机箱顶部设有送风装置, |
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