成都先锋材料有限公司

更新时间:2021-12-03 07:56 信息编号:11931708
企业简介
成都先锋材料有限公司企业简介:成都先锋材料有限公司是美国先锋材料股份有限公司(Pioneer Materials Inc.)于2008年在成都投资注册的独资公司, 目前注册资本金为400万美元. 公司拥有一批高水平的技术骨干人员,集研发和生产于一体,主要开发和生产用于新 型半导体芯片,薄膜太阳能电池,热电转换设备,光学存储和涂层等新兴技术领域的材料产品,是认定的高新 技术企业。 在成都高新技术开发西区,公司拥有13亩地和4000多平方米的厂房设施,已取得ISO9001质量体系及ISO14001环境体系认证。 公司目前有4项有关新型材料的发明专利,13项发明专利正在申请中。公司产品包括上述应用的各种高科技薄膜溅射靶材,金属和半导体硫族元素化合物材料,以及各种成分的粉末。利用公司强大的材料科学技术力量,也为客户提供各种量身定做有关高科技材料方面的技术服务。 公司产品销售欧美,日本,台湾,东南亚以及中国内地市场。 公司使命: 成为在洁净能源,半导体芯片和各种涂层等高科技应用领域的,世界的材料供应商。 发展历程 2000年,美国先锋材料有限公司成立。 2008年,在中国成都设立全部由特拉华洲注册的美国公司投资的子公司(美国独资企业)。拥有51,000平方英尺的标准厂房,年产量可达14400片靶材。 2007年,成都先锋材料有限公司是ISO2000质量认证, ISO14001环保体系认证企业。 2008年,成都先锋材料有限公司已经成功开发出了多种高科技材料,其中包括薄膜太阳能电池单一靶材CIGS(铜铟镓硒)和热电转换方面的BiTeSe,BiSbTe金属化合物。 2009年,成都先锋材料有限公司和生产CIGS太阳能电池的设备厂商合作,在产业上进行垂直整合,提供Turn-key方案。 例如,和瑞典的MidSummer合作。 2011年,公司成功开发高的相变半导体存储芯片材料,并与世界的半导体厂商进行深入合作。
联系方式
联系人:邓先生 电话:028-87987848 手机:18030587219 传真:028-66515923 邮箱:979391949@qq.com QQ:979391949 邮编:611731 注册资金: 400 万 美元 商铺: 11931708.czvv.com 网址:www.cdpmi.net 地址:成都市高新西区百草街88号
成都先锋材料有限公司发布的产品供应信息
成都先锋材料有限公司的工商信息
  • 91510100740305184C
  • 91510100740305184C
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司(外国法人独资)
  • 2002-07-29
  • 丘立安
  • 470万美元
  • 2002-07-29 至 永久
  • 成都市工商行政管理局
  • 四川省成都市高新技术产业开发区西区
  • 研究、开发、生产、加工用于信息、半导体集成电路和医疗等领域的高新技术材料,销售本公司产品;金属材料、陶瓷材料、机电产品、核电防护材料产品的批发及以上产品的进出口业务;研究开发项目及技术咨询服务(涉及许可经营的凭许可证经营;依法须经批准的项目,经有关部门批准后方可开展经营活动)。
成都先锋材料有限公司的股东信息
股东类型: 外国(地区)企业
股东: 美国先锋材料有限公司
主要人员
李宗雨(Zongyu Li) 董事
丘立安 董事长兼总经理
杨红霞 董事
成都先锋材料有限公司的变更记录
变更项目: 经营范围变更
变更日期: 2016-07-05
变更前: 研究、开发、生产、加工用于信息、半导体集成电路和医疗等领域的高新技术材料,销售本公司产品;研究开发项目及技术咨询服务(以上范围不含国家法律法规限制或禁止的项目,涉及许可的凭相关许可证开展经营活动)。
变更后: 研究、开发、生产、加工用于信息、半导体集成电路和医疗等领域的高新技术材料,销售本公司产品;金属材料、陶瓷材料、机电产品、核电防护材料产品的批发及以上产品的进出口业务;研究开发项目及技术咨询服务(涉及许可经营的凭许可证经营;依法须经批准的项目,经有关部门批准后方可开展经营活动)。
变更项目: 投资总额变更
变更日期: 2015-12-09
变更前: 880
变更后: null
变更项目: 注册资本(金)变更
变更日期: 2015-12-09
变更前: 440
变更后: 470
变更项目: 注册资本(金)变更
变更日期: 2015-09-07
变更前: 420
变更后: 440
变更项目: 投资总额变更
变更日期: 2015-09-07
变更前: 840
变更后: null
变更项目: 注册资本(金)变更
变更日期: 2014-12-25
变更前: 395
变更后: 420
变更项目: 章程修正案备案
变更日期: 2014-12-25
变更前: /
变更后: /
变更项目: 投资总额变更
变更日期: 2014-12-25
变更前: 790
变更后: null
变更项目: 高级管理人员备案(董事、监事、经理等)
变更日期: 2014-10-23
变更前: /
变更后: 李宗雨(Zongyu Li),董事
变更项目: 章程修正案备案
变更日期: 2014-10-23
变更前: /
变更后: /
变更项目: 注册资本(金)变更
变更日期: 2014-09-28
变更前: 320
变更后: 395
变更项目: 经营场所变更
变更日期: 2014-09-28
变更前: 四川省成都高新技术产业开发区西区
变更后: 四川省成都市高新技术产业开发区西区
变更项目: 投资总额变更
变更日期: 2014-09-28
变更前: 624
变更后: null
变更项目: 出资方式变更
变更日期: 2014-06-16
变更前: 美国先锋材料有限公司;
变更后: 美国先锋材料有限公司,货币,实物;
变更项目: 出资额变更
变更日期: 2014-06-16
变更前: 美国先锋材料有限公司;
变更后: 320
变更项目: 高级管理人员备案(董事、监事、经理等)
变更日期: 2014-06-12
变更前: /
变更后: 杨红霞,董事
变更项目: 经营范围变更
变更日期: 2014-06-12
变更前: 研究、开发、生产、加工用于信息、半导体集成电路和医疗等领域的高新技术材料,销售本公司产品;研究开发项目及技术咨询服务。
变更后: 研究、开发、生产、加工用于信息、半导体集成电路和医疗等领域的高新技术材料,销售本公司产品;研究开发项目及技术咨询服务(以上经营范围凡依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)。
变更项目: 出资方式变更
变更日期: 2014-06-05
变更前: 美国先锋材料有限公司;
变更后: 美国先锋材料有限公司,货币,实物;
变更项目: 经营范围变更
变更日期: 2014-06-05
变更前: 研究、开发、生产、加工用于信息、半导体集成电路和医疗等领域的高新技术材料,销售本公司产品;研究开发项目及技术咨询服务。
变更后: 研究开发、生产、加工用于信息、半导体集成电路和医疗等领域的高新技术材料,销售本公司产品;研究开发项目及技术咨询服务(以上经营范围凡依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)。
变更项目: 出资额变更
变更日期: 2014-06-05
变更前: 美国先锋材料有限公司;
变更后: 美国先锋材料有限公司,货币,306.3116万元,实物,13.6884万元;
变更项目: 投资总额变更
变更日期: 2014-05-21
变更前: 614
变更后: 624
变更项目: 经营范围变更
变更日期: 2014-05-21
变更前: 研究、开发、生产、加工用于信息、半导体集成电路和医疗等领域的高新技术材料,销售本公司产品;研究开发项目及技术咨询服务。
变更后: 研究、开发、生产、加工用于信息、半导体集成电路和医疗等领域的高新技术材料,销售本公司产品;研究开发项目及技术咨询服务。(以上经营范围凡依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)。
变更项目: 注册资本(金)变更
变更日期: 2014-01-16
变更前: 300
变更后: 310
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2014-01-16
变更前: 300
变更后: 302.5
变更项目: 投资总额变更
变更日期: 2014-01-16
变更前: 600
变更后: null
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2013-12-02
变更前: 290
变更后: 300
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2013-10-16
变更前: 287
变更后: 290
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2013-08-09
变更前: 285
变更后: 287
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2013-06-24
变更前: 282
变更后: 285
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2013-06-13
变更前: 279
变更后: 282
变更项目: 高级管理人员备案(董事、监事、经理等)
变更日期: 2013-05-28
变更前: /
变更后: 丘立安,董事长兼总经理 郭蔚,董事
变更项目: 经理备案
变更日期: 2013-05-28
变更前: /
变更后: 丘立安,董事长兼总经理
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2013-01-16
变更前: 276
变更后: 279
变更项目: 法定代表人变更
变更日期: 2012-07-31
变更前: 李宗雨
变更后: 丘立安,外国(地区)护照,434319398
变更项目: 高级管理人员备案(董事、监事、经理等)
变更日期: 2012-07-25
变更前: HAN-LAI TCHEN,董事 Harry Rosenbeng,董事 李宗雨,董事长 邱立安,董事 晏传鹏,董事兼总经理
变更后: HAN-LAI TCHEN,董事 Harry Rosenbeng,董事 李宗雨,董事 邱立安,董事长 晏传鹏,董事兼总经理
变更项目: 投资总额变更
变更日期: 2012-04-26
变更前: 540
变更后: null
变更项目: 注册资本(金)变更
变更日期: 2012-04-24
变更前: 270
变更后: 300
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2012-04-24
变更前: 270
变更后: 276
变更项目: 注册资本(金)变更
变更日期: 2011-10-19
变更前: 300
变更后: 270
变更项目: 章程修正案备案
变更日期: 2011-10-19
变更前: /
变更后: /
变更项目: 投资总额变更
变更日期: 2011-10-19
变更前: 600
变更后: null
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2011-09-23
变更前: 263.75
变更后: 270
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2011-09-15
变更前: 240
变更后: 263.75
变更项目: 出资方式变更
变更日期: 2010-07-06
变更前: /
变更后: /
变更项目: 章程修正案备案
变更日期: 2010-07-06
变更前: /
变更后: /
变更项目: 出资日期变更
变更日期: 2010-05-12
变更前: /
变更后: /
变更项目: 章程修正案备案
变更日期: 2010-05-12
变更前: /
变更后: /
变更项目: 出资额变更
变更日期: 2010-04-07
变更前: 美国先锋材料有限公司;
变更后: 300
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2010-04-07
变更前: 191.5
变更后: 240
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2009-07-10
变更前: 188.5
变更后: 191.5
变更项目: 出资额变更
变更日期: 2009-03-10
变更前: 美国先锋材料有限公司;
变更后: 300
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2009-03-05
变更前: 183.5
变更后: 188.5
变更项目: 出资方式变更
变更日期: 2009-03-05
变更前: 美国先锋材料有限公司;
变更后: 美国先锋材料有限公司,货币,实物;
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2008-12-02
变更前: 180
变更后: 183.5
变更项目: 投资总额变更
变更日期: 2008-05-09
变更前: 200
变更后: null
变更项目: 出资额变更
变更日期: 2008-05-07
变更前: 美国先锋材料有限公司;
变更后: 300
变更项目: 注册资本(金)变更
变更日期: 2008-05-06
变更前: 150
变更后: 300
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2008-05-06
变更前: 150
变更后: 180
变更项目: 实收资本变更
变更日期: 2008-03-24
变更前: 62
变更后: 150
成都先锋材料有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN104925760B CIGS的Na掺杂方法、及其溅射靶材的制作方法 2017.02.08 本发明提供了一种CIGS的Na掺杂方法、及其溅射靶材的制作方法。CIGS的Na掺杂方法包括以下步骤:
2 CN103290249B 生产热电转换材料的方法、装置及生产溅射靶材的方法 2016.03.02 本发明涉及半导体材料领域,具体而言,涉及生产热电转换材料的方法、装置及用该材料生产溅射靶材的方法。生
3 CN105293451A 非平衡态硫族化合物、薄膜及其制备方法 2016.02.03 本发明提供了一种非平衡态硫族化合物、薄膜及其制备方法,属于记忆体芯片材料技术领域。该非平衡态硫族化合
4 CN103311425B 生产热电转换材料的方法、装置及生产溅射靶材的方法 2015.12.02 本发明涉及半导体材料领域,具体而言,涉及生产热电转换材料的方法,包括如下步骤:(A)将质量分数55%
5 CN105118878A CIGS的锑化合物掺杂方法 2015.12.02 本发明提供了一种CIGS的锑化合物掺杂方法,属于太阳能薄膜电池技术领域。CIGS的锑化合物掺杂方法包
6 CN105070791A 掺杂铋化合物的CIGS及其掺杂方法 2015.11.18 本发明提供了一种掺杂铋化合物的CIGS及其掺杂方法,属于太阳能薄膜电池技术领域。该掺杂方法包括以下步
7 CN104925760A CIGS的Na掺杂方法、及其溅射靶材的制作方法 2015.09.23 本发明提供了一种CIGS的Na掺杂方法、及其溅射靶材的制作方法。CIGS的Na掺杂方法包括以下步骤:
8 CN103320750B 锗锑碲化合物相变材料溅射靶材生产方法 2015.04.01 本发明涉及靶材生产制备领域,具体而言,涉及一种锗锑碲化合物相变材料溅射靶材生产方法。包括:将质量分数
9 CN103320749B 硫族金属化合物相变材料溅射靶材的生产方法 2015.04.01 本发明涉及靶材生产制备领域,具体而言,涉及硫族金属化合物相变材料溅射靶材的生产方法,按配比准备金属化
10 CN103320750A 锗锑碲化合物相变材料溅射靶材生产方法 2013.09.25 本发明涉及靶材生产制备领域,具体而言,涉及一种锗锑碲化合物相变材料溅射靶材生产方法。包括:将质量分数
11 CN103320749A 硫族金属化合物相变材料溅射靶材的生产方法 2013.09.25 本发明涉及靶材生产制备领域,具体而言,涉及硫族金属化合物相变材料溅射靶材的生产方法,按配比准备金属化
12 CN103311425A 生产热电转换材料的方法、装置及生产溅射靶材的方法 2013.09.18 本发明涉及半导体材料领域,具体而言,涉及生产热电转换材料的方法,包括如下步骤:(A)将质量分数55%
13 CN103290249A 生产热电转换材料的方法、装置及生产溅射靶材的方法 2013.09.11 本发明涉及半导体材料领域,具体而言,涉及生产热电转换材料的方法、装置及用该材料生产溅射靶材的方法。生
14 CN102730751A 铜锌锡硫光伏材料、及其制备方法和制备装置 2012.10.17 本发明涉及化工领域,具体涉及铜锌锡硫光伏材料、及其制备方法和制备装置,本光伏材料的原料为按重量份数计
15 CN102709393A 用铜锌锡硫化合物单一靶材制备薄膜太阳能电池的方法 2012.10.03 本发明涉及太阳能领域,具体涉及一种用铜锌锡硫化合物单一靶材制备薄膜太阳能电池的方法,该方法包括:A.
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