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- 品牌:其他 | 介质材料:铝电解 | 应用范围:滤波 | 外形:圆柱形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:径向引出线 | 允许偏差:-20 | 耐压值:20 | 型号:LEH(HT)330UF16V 6.3x9 | 等效串联电阻(ESR):0.16 | 损耗:16%
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- 品牌:其他 | 介质材料:铝电解 | 应用范围:滤波 | 外形:圆柱形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:径向引出线 | 允许偏差:-20 | 耐压值:20 | 型号:LEH(HT)470UF10V 6.3x7 | 等效串联电阻(ESR):0.19 | 损耗:16%
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- 品牌:其他 | 介质材料:铝电解 | 应用范围:滤波 | 外形:圆柱形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:径向引出线 | 允许偏差:-20 | 耐压值:16 | 型号:LEH(HT)470UF10V 6.3x7 | 等效串联电阻(ESR):0.14 | 损耗:19%
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- 品牌:其他 | 介质材料:铝电解 | 应用范围:滤波 | 外形:圆柱形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:径向引出线 | 允许偏差:-20 | 耐压值:16 | 型号:LEH(HT)220UF10V 5x7 | 等效串联电阻(ESR):0.2 | 损耗:19%
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- 品牌:其他 | 介质材料:铝电解 | 应用范围:滤波 | 外形:圆柱形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:径向引出线 | 允许偏差:-20 | 耐压值:35 | 型号:LEH(HT)100UF35V 6.3x7 | 等效串联电阻(ESR):0.15 | 损耗:12%
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- 品牌:其他 | 种类:水泥 | 性能:精密 | 材料:线绕 | 制作工艺:普通线绕 | 外形:平面片状 | 功率特性:大功率 | 产品性质:新品
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- 品牌:其他 | 种类:位移 | 制作工艺:薄膜 | 输出信号:模拟型 | 材料:金属 | 材料物理性质:半导体 | 材料晶体结构:单晶 | 型号:KSC
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- 品牌:其他 | 种类:位移 | 制作工艺:薄膜 | 输出信号:模拟型 | 材料:金属 | 材料物理性质:半导体 | 材料晶体结构:单晶 | 型号:KTM
- 报价：￥100/件
- 品牌:其他 | 种类:位移 | 制作工艺:薄膜 | 输出信号:模拟型 | 材料:金属 | 材料物理性质:半导体 | 材料晶体结构:单晶 | 型号:MLZX
- 报价：￥0100/件
- 品牌:其他 | 种类:位移 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 材料:金属 | 材料物理性质:半导体 | 材料晶体结构:单晶 | 型号:MQJD
- 报价：￥100/件
- 品牌:其他 | 种类:位移 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 材料:金属 | 材料物理性质:半导体 | 材料晶体结构:单晶 | 型号:TRS
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- 品牌:其他 | 种类:位移 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 材料:金属 | 材料物理性质:半导体 | 材料晶体结构:单晶 | 型号:TS
- 报价：￥100/件
- 品牌:其他 | 种类:位移 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 材料:金属 | 材料物理性质:半导体 | 材料晶体结构:单晶 | 型号:TX2
- 报价：￥100/件
- 品牌:其他 | 种类:位移 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 材料:混合物 | 材料物理性质:半导体 | 材料晶体结构:单晶 | 型号:KPM12R
- 报价：￥100/件
- 品牌:其他 | 种类:位移 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 材料:混合物 | 材料物理性质:半导体 | 型号:KS8 | 线性度:0.01
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- 品牌:其他 | 应用范围:电源 | 种类:线束/连接线/端子线 | 接口类型:AC/DC | 读卡类型:SIM | 形状:条形 | 制作工艺:注塑 | 特性:阻火/阻燃 | 工作频率:高频 | 型号:KR4501 | 接触件材质:咨询客服 | 绝缘体材质:咨询客服 | 芯数:咨询客服 | 针数:≥2 | 线长:可定制
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