基础信息
| 种类 | 化合物半导体 | 特性 | 2英寸 |
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产品详情
苏州氮化镓衬底材料生产商 非掺氮化镓晶片
苏州恒迈瑞材料科技生产供应10mm*10.5mm²方形氮化镓自支撑衬底片，衬底厚度350um±25um，掺杂类型分为N型非掺杂，硅掺杂及半绝缘型Fe铁掺杂。GaN氮化镓自支撑衬底晶片TTV≤10um，抛光类型可选单面抛光SSP或双面抛光DSP。
蓝宝石氮化镓衬底尺寸：4 inch 100mm±0.1mm
蓝宝石衬底厚度：650um
衬底结构：GaN-On-Sapphire
掺杂类型：N型非掺杂/N型硅掺杂/
氮化镓外延厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um
晶向：C-plane(0001)A Axis 0.2±0.1°
位错密度：≤5x108cm-2
包装方式：晶圆盒或Cassette盒
抛光要求：单抛/双抛
产品关键词：
半导体材料
/ 氮化镓晶片厂家
/ 氮化镓衬底片工厂
产品所属分类： 电子元器件/ 电子材料、零部件、结构件/ 半导体材料
产品所属分类： 电子元器件/ 电子材料、零部件、结构件/ 半导体材料
企业介绍
苏州恒迈瑞材料科技有限公司是一家注册于苏州市吴中高新区的高科技企业。公司致力于半导体材料，半导体封测，模块器件领域相关产品的设计研发，定制及销售。苏州恒迈瑞主要产品及服务包括：COF封装驱动芯片(Driver IC)的选型及应用；COF柔性封装基板(COF Film)的设计、开模定制、封测；化合物半导体材料（氮化镓GaN衬底片Free-Standing Substrate/ Gan-On-Sapphire Template, 碳化硅4H-SI/4H-N SiC衬底片，GaN外延片/SiC外延片Epi Wafer）的定制及应用；功率半导体封测模块（IGBT模块，全碳化硅/混合SiC模块，GaAs/GaN PA模块）及功率半导体电力电子器件(MOSFET器件，SBD器件）的定制、封测、应用。苏州恒迈瑞公司下设半导体材料事业部和半导体封测事业部。
联系方式
- 苏州恒迈瑞材料科技有限公司
- 联系人 : 程经理
- 手 机 : 15366208370
- 电 话 : -15366208370
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- 地 址 : 苏蠡路
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